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復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授團(tuán)隊(duì)2023年招聘先進(jìn)CMOS器件博士后

發(fā)布:2023-07-08 00:32:19  關(guān)注:16521次

  一、課題組簡介及博士后研究方向

  復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授團(tuán)隊(duì)長期從事集成電路工藝、半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料的研究。自1997年以來課題組承擔(dān)國家863、國家自然科學(xué)基金、國家重大科技專項(xiàng)、上海市重大重點(diǎn)項(xiàng)目等20多項(xiàng)。先后在Science,Nature Nanotechnology, Nature Materials, IEEE Electron Device Letters,IEDM等國際學(xué)術(shù)期刊和會議上發(fā)表論文200多篇,申請專利180多項(xiàng),其中美國專利39項(xiàng)。課題組在相關(guān)領(lǐng)域的研究達(dá)到世界先進(jìn)水平,提供領(lǐng)先的研究平臺及工作條件。

  目前課題組就“先進(jìn)CMOS器件(FinFET)的可靠性與模型研究”研究方向招收博士后1名,誠摯邀請研究熱衷于微電子先進(jìn)CMOS器件領(lǐng)域的博士后加入我們的團(tuán)隊(duì)。作為博士后研究員,您將與我們的團(tuán)隊(duì)密切合作,致力于開發(fā)和優(yōu)化先進(jìn)CMOS器件技術(shù),共同探索先進(jìn)器件設(shè)計、制造和表征等方面的挑戰(zhàn),為下一代芯片技術(shù)的發(fā)展做出重要貢獻(xiàn)。本招聘通知長期有效。

  二、應(yīng)聘條件

  1.已獲得或即將獲得國內(nèi)外高校、科研院所的博士學(xué)位;

  2.有志從事科學(xué)研究,具有強(qiáng)烈的科研興趣,有意從事先進(jìn)CMOS器件領(lǐng)域研究;

  3.具有積極向上的工作熱情,優(yōu)秀的學(xué)習(xí)能力,良好的學(xué)術(shù)道德和團(tuán)隊(duì)合作精神,能獨(dú)立開展科研工作;

  4.具有微電子、電子工程、物理學(xué)、材料學(xué)等相關(guān)學(xué)科博士學(xué)位,有先進(jìn)CMOS器件制造和表征方面經(jīng)歷者優(yōu)先考慮;

  5.在重要學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表過高水平論文。

  三、工作待遇

  1.年薪30-45萬,特別優(yōu)秀者可以面議。

  2.提供優(yōu)越的科研條件和穩(wěn)定的支持,鼓勵博士后按照國家和地方相關(guān)政策申報博士后基金等各項(xiàng)基金。

  3.博士后公寓、戶口和子女入學(xué)按照學(xué)校規(guī)定執(zhí)行。

  4.實(shí)驗(yàn)室將為博士后的職業(yè)發(fā)展提供規(guī)劃指導(dǎo),復(fù)旦大學(xué)將優(yōu)先考慮優(yōu)秀博士后留校任職發(fā)展。

  四、聯(lián)系方式

  如果您對微電子先進(jìn)CMOS器件領(lǐng)域的研究充滿熱情,具備上述要求,并愿意加入我們的團(tuán)隊(duì),歡迎您將個人簡歷發(fā)送至chen_w@fudan.edu.cn。標(biāo)題請注明“博士后應(yīng)聘+姓名+畢業(yè)院校”,來信時請附上個人簡歷及代表作三篇(公開發(fā)表論文或博士論文章節(jié)),并注明預(yù)計能夠進(jìn)站時間。應(yīng)聘材料恕不退還,單位將予以保密。本招聘長期有效,熱誠歡迎海內(nèi)外優(yōu)秀青年加盟。

  信息來源于網(wǎng)絡(luò),如有變更請以原發(fā)布者為準(zhǔn)。

  來源鏈接:

  https://hr.fudan.edu.cn/c0/ea/c15369a508138/page.htm

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